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氮化铝（AlN）的光致发光谱
氮化铝（AlN）是一种宽带隙半导体材料，具有优异的热导率、电绝缘性和化学稳定性，广泛应用于光电子、微电子和功率器件等领域。光致发光谱（Photoluminescence, PL）是研究AlN材料光学性质的重要手段，通过分析其光致发光谱，可以深入了解材料的能带结构、缺陷状态和光学性能。本文将探讨AlN光致发光谱的行业应用及其技术前沿。
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